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SI9926BDY-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI9926BDY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.14W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：SI9926BDY-T1-E3TR

供应商SI9926BDY-T1-E3
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si9926BDY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI9926BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI9926BDY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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SI9926BDY-T1-E3Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO251.13 Kbytes共9页SI9926BDY-T1-E3的PDF下载地址无
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Allied Electronics		SI9926BDY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; Dual; N-Channel; 20V; 8.2A; 2W; SO-8+2500:$0.83
+125000:$0.82
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Allied Electronics		SI9926BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, Dual, N-Channel, 20V, 8.2A, 2W, SO-82,500 : $0.5856
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Quest Components		SI9926BDY-T1-E3Vishay Siliconix6200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET1,257 : $0.6125
273 : $0.637
1 : $2.45
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