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SI9948AEY-T1-E3 /
SI9948AEY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压60 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流2.6 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)170 mOhms

配置Dual Dual Drain

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间12 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2400 mW

上升时间10 ns

工厂包装数量2500

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间23 ns

零件号别名SI9948AEY-E3

供应商SI9948AEY-T1-E3
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深圳市微碧半导体有限公司SI9948AEY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市百域芯科技有限公司SI9948AEY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI9948AEY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市金华微盛电子有限公司Si9948AEY-T1-E3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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