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SI9926BDY / MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V (G-S)
SI9926BDY的规格信息
SI9926BDY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:6.2 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻: 00006000 20 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.14 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:50 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:50 ns

工厂包装数量:100

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:35 ns

供应商SI9926BDY
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si9926BDY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI9926BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI9926BDY深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市坤融电子有限公司SI9926BDY航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城SI9926BDY深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI9926BDY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司SI9926BDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI9926BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI9926BDY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市星宇佳科技有限公司SI9926BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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SI9926BDYDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO182.97 Kbytes共3页SI9926BDY的PDF下载地址SI5904DC,SI4966DY,SI6925ADQ,SI6866BDQ,SI6946DQ,SI6925DQ,SI9926ADY,SI6968BEDQ,SI6926ADQ,SI6866DQ
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SI9926BDY-T1-GE3MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO104.34 Kbytes共6页SI9926BDY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI9926BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, Dual, N-Channel, 20V, 8.2A, 2W, SO-82,500 : $0.5856
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Allied Electronics
SI9926BDY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; Dual; N-Channel; 20V; 8.2A; 2W; SO-8+2500:$0.83
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SI9926BDYVishay Siliconix MOSFET Transistor, N-Channel, SO343 : $0.507
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SI9926BDY-T1-E3Vishay Intertechnologies6200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET151 : $0.24
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1 : $0.8
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SI9926BDY-T1-E3Vishay Siliconix6200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET1,257 : $0.6125
273 : $0.637
1 : $2.45