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SI7956DP-T1-GE3 /MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7956DP-T1-GE3的规格信息
SI7956DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:4.1 A

Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:26 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SI7

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:10 S

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:SI7956DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI7956DP-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7956DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
集好芯城SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司Si7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si7956DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司Si7956DP-T1-GE3东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479		刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7956DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI7956DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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SI7956DP-T1-GE3MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO306.80 Kbytes共12页SI7956DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7956DP-T1-GE3MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO303.82 Kbytes共12页SI7956DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7956DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO305.51 Kbytes共12页SI7956DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7956DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		SI7956DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥11.0301
6000+:￥10.62
15000+:￥10.28
30000+:￥9.951+:￥18.47
10+:￥14.83
100+:￥13.5
250+:￥12.26
500+:￥12.26
1000+:￥11.7
3000+:￥11.25
6000+:￥10.92
9000+:￥10.723000+:￥11.651+:￥11.93
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI7956DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥11.0301
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7956DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥11.0301
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7956DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥11.0301
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7956DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SI7956DP-T1-GE3Vishay Intertechnologies3000+:￥11.0301
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI7956DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双N沟道1+:￥35.41
10+:￥30.44
30+:￥29.53
100+:￥28.61
500+:￥28.21
1000+:￥27.71
SI7956DP-T1-GE3的相关型号
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