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SI7922DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7922DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8 Dual

其它名称:SI7922DN-T1-GE3TRSI7922DNT1GE3

供应商SI7922DN-T1-GE3
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上海三崧电子有限公司SI7922DN-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7922DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SI7922DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7922DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7922DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司SI7922DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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13352985419
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SI7922DN-T1-GE3MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO541.82 Kbytes共12页SI7922DN-T1-GE3的PDF下载地址
SI7922DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO536.17 Kbytes共12页SI7922DN-T1-GE3的PDF下载地址
SI7922DN-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:195mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO540.48 Kbytes共12页SI7922DN-T1-GE3的PDF下载地址
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SI7922DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V1+:¥13.23
10+:¥11.94
25+:¥10.6901
100+:¥9.62
250+:¥8.5399
500+:¥7.47
1000+:¥6.171+:¥10.27
10+:¥8.23
100+:¥6.61
500+:¥6.61
1000+:¥6.14
3000+:¥5.64
6000+:¥5.58
9000+:¥5.3699
24000+:¥5.33011+:¥5.99
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Digi-Key 得捷电子
SI7922DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8$1.85000
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Digi-Key 得捷电子
SI7922DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V1+:¥13.23
10+:¥11.94
25+:¥10.6901
100+:¥9.62
250+:¥8.5399
500+:¥7.47
1000+:¥6.17
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Mouser 贸泽电子
SI7922DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
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Mouser 贸泽电子
SI7922DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V1+:¥13.23
10+:¥11.94
25+:¥10.6901
100+:¥9.62
250+:¥8.5399
500+:¥7.47
1000+:¥6.171+:¥10.27
10+:¥8.23
100+:¥6.61
500+:¥6.61
1000+:¥6.14
3000+:¥5.64
6000+:¥5.58
9000+:¥5.3699
24000+:¥5.3301
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立创商城
SI7922DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:195mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道1+:¥14.49
10+:¥10.67
30+:¥9.97
100+:¥9.27
500+:¥8.96
1000+:¥8.81