SI7949DP-T1-GE3的供应商，SI7949DP-T1-GE3规格参数，SI7949DP-T1-GE3的PDF资料

SI7949DP-T1-GE3 /MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SI7949DP-GE3

单位重量:506.600 mg

SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	SI7949DP-T1-GE3	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
上海三崧电子有限公司	SI7949DP-T1-GE3	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI7949DP-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	Si7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si7949DP-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI7949DP-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价

SI7949DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI7949DP-T1-GE3	MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	Vishay / Siliconix	301.65 Kbytes	共12页	无
SI7949DP-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8	Vishay Siliconix	298.66 Kbytes	共12页	无
SI7949DP-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：64mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双P沟道	VISHAY(威世)	300.35 Kbytes	共12页	无

SI7949DP-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI7949DP-T1-GE3	Vishay	FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V	3000+:￥5.21 6000+:￥5.0101 15000+:￥4.82 30000+:￥4.74 75000+:￥4.631+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥6.15 500+:￥6.15 1000+:￥5.71 3000+:￥5.24 6000+:￥5.19 9000+:￥4.9901 24000+:￥4.963000+:￥4.831+:￥5.57
ChipOneStop	SI7949DP-T1-GE3	Vishay	FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V	3000+:￥5.21 6000+:￥5.0101 15000+:￥4.82 30000+:￥4.74 75000+:￥4.631+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥6.15 500+:￥6.15 1000+:￥5.71 3000+:￥5.24 6000+:￥5.19 9000+:￥4.9901 24000+:￥4.963000+:￥4.83
Digi-Key 得捷电子	SI7949DP-T1-GE3	Vishay	FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V	3000+:￥5.21 6000+:￥5.0101 15000+:￥4.82 30000+:￥4.74 75000+:￥4.63
Mouser 贸泽电子	SI7949DP-T1-GE3	Vishay	FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V	3000+:￥5.21 6000+:￥5.0101 15000+:￥4.82 30000+:￥4.74 75000+:￥4.631+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥6.15 500+:￥6.15 1000+:￥5.71 3000+:￥5.24 6000+:￥5.19 9000+:￥4.9901 24000+:￥4.96
Mouser 贸泽电子	SI7949DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥14.2945 10:¥12.9046 100:¥10.3734 500:¥8.0682 1,000:¥6.6896 3,000:¥6.0455
Verical	SI7949DP-T1-GE3	Vishay	FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V	3000+:￥5.21 6000+:￥5.0101 15000+:￥4.82 30000+:￥4.74 75000+:￥4.631+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥6.15 500+:￥6.15 1000+:￥5.71 3000+:￥5.24 6000+:￥5.19 9000+:￥4.9901 24000+:￥4.963000+:￥4.831+:￥5.571+:￥5.29
立创商城	SI7949DP-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：64mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双P沟道	1+:￥15.1 10+:￥14.71 30+:￥11.57 100+:￥11.36

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