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SI7911DN-T1 / Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7911DN-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

最大门源电压:±8

安装:Surface Mount

包装宽度:3.05

PCB:8

最大功率耗散:1300

最大漏源电压:20

欧盟RoHS指令:Not Compliant

最大漏源电阻:51@4.5V

每个芯片的元件数:2

最低工作温度:-55

供应商封装形式:PowerPAK 1212

标准包装名称:PowerPAK 1212

最高工作温度:150

渠道类型:P

包装长度:3.05

引脚数:8

通道模式:Enhancement

包装高度:1.04

最大连续漏极电流:4.2

封装:Tape and Reel

铅形状:No Lead

单位包:0

最小起订量:1

供应商SI7911DN-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI7911DN-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7911DN-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI7911DN-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI7911DN-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳诚思涵科技有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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万三科技(深圳)有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7911DN-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市大源实业科技有限公司SI7911DN-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7911DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SI7911DN-T1Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO57.02 Kbytes共5页SI7911DN-T1的PDF下载地址SI4943DY,SI4913DY,SI7901EDN,SI8435DB,SI9933ADY,SI3909DV,SI9953DY,SI3911DV,SI6875DQ,SI6981DQ
SI7911DN-T1-E3MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO89.66 Kbytes共6页SI7911DN-T1-E3的PDF下载地址
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SI7911DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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SI7911DN-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥4.42
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SI7911DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开