制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:5.9 A

Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SI7

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:14 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SI7942DP-T1

单位重量:506.600 mg