制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:7.7 A

Rds On-漏源导通电阻:186 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:6 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-GE3