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SI7900AEDN-T1-GE3 /MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7900AEDN-T1-GE3的规格信息
SI7900AEDN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:26 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:4.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.6 ns

典型接通延迟时间:0.85 ns

零件号别名:SI7900AEDN-GE3

供应商SI7900AEDN-T1-GE3
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上海三崧电子有限公司SI7900AEDN-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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集好芯城SI7900AEDN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7900AEDN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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万三科技（深圳）有限公司SI7900AEDN-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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SI7900AEDN-T1-GE3Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO537.63 Kbytes共12页SI7900AEDN-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7900AEDN-T1-GE3的全球分销商及价格
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Allied Electronics		SI7900AEDN-T1-GE3Siliconix / VishaySI7900AEDN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor,6 A,20V,8-Pin PowerPAK 1212+300:$1.06
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Avnet Express		SI7900AEDN-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CH 20V (D-S) MOSFET, COMMON DRAIN - Tape and Reel3,000 : $0.4724
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Digi-Key 得捷电子		SI7900AEDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8$1.23000
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