SI7894ADP-T1-GE3
/MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
SI7894ADP-T1-GE3的规格信息
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:17 A
导通电阻:3.6 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
商标:Vishay / Siliconix
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.9 W
工厂包装数量:3000
零件号别名:SI7894ADP-GE3
ROHS: 含铅
SI7894ADP-T1-GE3
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SI7894ADP-T1-GE3 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V | Vishay / Siliconix |  | 92.60 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SI7894ADP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SI7894ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V | 3,000:¥12.6786 6,000:¥12.1362
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