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SI7414DN-T1-GE3 /Si7414DN Series N-Channel 60 V 0.025 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
SI7414DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.6A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):25 毫欧 @ 8.7A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

封装形式Package:PowerPak1212-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:5.6A

漏源极导通电阻RDS(ON):25mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7414DN-T1-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SI7414DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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13352985419
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深圳市芯奕科技有限公司SI7414DN-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7414DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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”13725596657“17503034873
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Arrow(艾睿)
SI7414DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 8.7A 3.8W 25mohm @ 10V3000+:¥3.78
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SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.4469
14,999 : $0.4359
29,999 : $0.4324
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Avnet Express
SI7414DN-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.9324
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SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-86,000 : $0.49343
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Digi-Key 得捷电子
SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8$1.57000
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element14 Asia-Pacific
SI7414DN-T1-GE3Vishay SiliconixN CH MOSFET 60V 8.7A POWERPAK 12121 : $7.5
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SI7414DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi7414DN Series N-Channel 60 V 0.025 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.4444
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Mouser 贸泽电子
SI7414DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥12.4526
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Mouser 贸泽电子
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Verical
SI7414DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R$0.7731
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立创商城
SI7414DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道1+:¥11.71
10+:¥11.41
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