标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-
功率 - 最大值：1.05W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP
其它名称：SI6433BDQ-T1-E3TRSI6433BDQT1E3