• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SI5936DU-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
SI5936DU-T1-GE3的规格信息
SI5936DU-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-ChipFET-Dual-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:10.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI54

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:65 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:85 mg

供应商SI5936DU-T1-GE3
SI5936DU-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市坤融电子有限公司SI5936DU-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司SI5936DU-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI5936DU-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市水星电子有限公司SI5936DU-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI5936DU-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳诚思涵科技有限公司Si5936DU-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI5936DU-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
SI5936DU-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI5936DU-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFETVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO189.28 Kbytes共9页SI5936DU-T1-GE3的PDF下载地址无
SI5936DU-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFETVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO188.74 Kbytes共9页SI5936DU-T1-GE3的PDF下载地址无
SI5936DU-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：双N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO155.82 Kbytes共9页SI5936DU-T1-GE3的PDF下载地址无
SI5936DU-T1-GE3SI5936DU-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor,6 A,30V,8-Pin PowerPAK ChipFETSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO151.41 Kbytes共9页SI5936DU-T1-GE3的PDF下载地址无
SI5936DU-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI5936DU-T1-GE3Siliconix / VishaySI5936DU-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor,6 A,30V,8-Pin PowerPAK ChipFET+300:$0.50
+600:$0.49
+1500:$0.48
+3000:$0.46
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI5936DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V3000+:￥1.8
6000+:￥1.6701
15000+:￥1.6
30000+:￥1.55
75000+:￥1.5199
150000+:￥1.491+:￥3.88
10+:￥3.06
100+:￥2.32
500+:￥1.97
1000+:￥1.83
3000+:￥1.83
6000+:￥1.68
9000+:￥1.66
24000+:￥1.61+:￥2
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET$0.70000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI5936DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V3000+:￥1.8
6000+:￥1.6701
15000+:￥1.6
30000+:￥1.55
75000+:￥1.5199
150000+:￥1.49
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI5936DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET1:¥5.2206
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
1,000:¥2.4747
3,000:¥2.1809
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI5936DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V3000+:￥1.8
6000+:￥1.6701
15000+:￥1.6
30000+:￥1.55
75000+:￥1.5199
150000+:￥1.491+:￥3.88
10+:￥3.06
100+:￥2.32
500+:￥1.97
1000+:￥1.83
3000+:￥1.83
6000+:￥1.68
9000+:￥1.66
24000+:￥1.6
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI5936DU-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：双N沟道1+:￥5.37
10+:￥4.19
30+:￥4.11
100+:￥4.04
SI5936DU-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号