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SI5905BDC-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5905BDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 3.3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 4V

功率 - 最大值:3.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

供应商SI5905BDC-T1-E3
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SI5905BDC-T1-E3Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO114.66 Kbytes共7页SI5905BDC-T1-E3的PDF下载地址SI5941DU,SIA414DJ,SI5945DU,SI6955ADQ,SI3951DV,SI3981DV,SI1051X,SI2305ADS,SI1913EDH_08,SI1917EDH_08
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SI5905BDC-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.2204
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