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SI5913DC-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5913DC-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:LITTLE FOOT®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:二极管(隔离式)

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):84 毫欧 @ 3.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):330pF @ 10V

功率 - 最大值:3.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

其它名称:SI5913DC-T1-GE3TRSI5913DCT1GE3

供应商SI5913DC-T1-GE3
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SI5913DC-T1-GE3VishayFET - 单 LITTLE FOOT® 分立半导体产品1+:¥4.8
10+:¥4.05
25+:¥3.55
100+:¥3.0299
250+:¥2.63
500+:¥2.23
1000+:¥1.721+:¥3.65
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500+:¥1.72
1000+:¥1.5199
3000+:¥1.46
6000+:¥1.46
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24000+:¥1.31+:¥1.59
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10+:¥4.05
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100+:¥3.0299
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500+:¥2.23
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SI5913DC-T1-GE3VishayFET - 单 LITTLE FOOT® 分立半导体产品1+:¥4.8
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10+:¥2.73
100+:¥2.04
500+:¥1.72
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