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SI5922DU-T1-GE3 /MOSFET Dual N-Chan 30V PowerPAK ChipFET
SI5922DU-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:2 个 N 沟道(双)

FET功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):19.2 毫欧 @ 5A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7.1nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):765pF @ 15V

功率-最大值:10.4W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® ChipFet 双

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI5922DU-T1-GE3
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SI5922DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Ch 30V Vds 4.7nC Qg Typ1:¥4.3053
10:¥3.2657
100:¥2.4182
500:¥1.9888
3,000:¥1.4012
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