系列:TrenchFET®
FET类型:2 个 N 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):65 毫欧 @ 3.1A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):220pF @ 15V
功率-最大值:3.12W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1206-8 ChipFET™
封装形式Package:ChipFET-8
极性Polarity:Dual N
漏源极击穿电压VDSS:30V
连续漏极电流ID:3.7A
漏源极导通电阻RDS(ON):65mOhms
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs