系列：TrenchFET®

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：标准

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.7A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：144 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.8nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：276pF @ 10V

功率-最大值：2.8W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：1206-8 ChipFET™

封装形式Package：ChipFET-8

极性Polarity：Dual P

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：2.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：144mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs