FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：480pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），10.4W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® ChipFet 双

封装/外壳：PowerPAK® CHIPFET™ 双

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs