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SI4909DY /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道
SI4909DY的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9.5A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻21mΩ @ 7.3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)5W(Tc)

类型P沟道

供应商SI4909DY
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深圳市微碧半导体有限公司SI4909DY-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4909DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市水星电子有限公司SI4909DY-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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Allied Electronics
SI4909DY-T1-GE3Siliconix / VishaySI4909DY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 6.5 A; 40 V; 8-Pin SOIC+100:$1.07
+500:$0.98
+1500:$0.90
+2500:$0.81
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Allied Electronics
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 6.4An2,500 : $0.44
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Arrow(艾睿)
SI4909DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 8A DUAL PCH2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
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62500+:¥2.621+:¥6.0299
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250+:¥4.5199
500+:¥4
1000+:¥3.171+:¥3.36
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Avnet Express
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.426
12,499 : $0.4046
24,999 : $0.3989
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Avnet Express
SI4909DY-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel2,500 : $0.54
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Avnet Express
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS)99 : $0.625
249 : $0.5769
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Chip1Stop
SI4909DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified
RoHS : Compliant
2,500 : $0.384
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Digi-Key 得捷电子
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO$1.09000
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Digi-Key 得捷电子
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO5,000 : $0.399
2,500 : $0.42
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4909DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 8A DUAL PCH2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
12500+:¥2.79
25000+:¥2.7
62500+:¥2.62
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element14 Asia-Pacific
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET PP CH W/D DIOD 40V 8ASO8
RoHS : Compliant
1 : $6.1
10 : $5.1
100 : $4.5
250 : $4.0
500 : $3.6
1,000 : $3.5
2,500 : $3.4
7,500 : $3.3
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
SI4909DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 8A DUAL PCH2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
12500+:¥2.79
25000+:¥2.7
62500+:¥2.621+:¥6.0299
10+:¥4.87
100+:¥3.74
500+:¥3.3
1000+:¥3.23
2500+:¥3.08
5000+:¥2.97
10000+:¥2.89
25000+:¥2.81+:¥7.34
10+:¥6.5001
25+:¥5.88
100+:¥5.14
250+:¥4.5199
500+:¥4
1000+:¥3.17
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Mouser 贸泽电子
SI4909DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 8A DUAL PCH2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
12500+:¥2.79
25000+:¥2.7
62500+:¥2.621+:¥6.0299
10+:¥4.87
100+:¥3.74
500+:¥3.3
1000+:¥3.23
2500+:¥3.08
5000+:¥2.97
10000+:¥2.89
25000+:¥2.8
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Mouser 贸泽电子
SI4909DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-81:¥9.379
10:¥8.2942
100:¥6.6331
500:¥5.198
1,000:¥4.1471
2,500:¥3.842
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RS Components
SI4909DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 6.4An价格未公开
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Tti
SI4909DY-T1-GE3Vishay Intertechnologies2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
12500+:¥2.79
25000+:¥2.7
62500+:¥2.621+:¥6.0299
10+:¥4.87
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5000+:¥2.97
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10+:¥6.5001
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500+:¥4
1000+:¥3.171+:¥3.361+:¥3.
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Verical
SI4909DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 8A DUAL PCH2500+:¥3.05
5000+:¥2.9
12500+:¥2.79
25000+:¥2.7
62500+:¥2.621+:¥6.0299
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1000+:¥3.171+:¥3.361+:¥3.1799
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Verical
SI4909DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R$0.445
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立创商城
SI4909DYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.16
10+:¥1.59
30+:¥1.49
100+:¥1.38
500+:¥1.34
1000+:¥1.31
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立创商城
SI4909DY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:双P沟道1+:¥6.28
10+:¥4.72
30+:¥4.44
100+:¥4.0255
500+:¥3.8994
1000+:¥3.8412