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SI4836DY / MOSFET 12V 13A 1W
SI4836DY的规格信息
SI4836DY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:17 A

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:115 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:41 ns

工厂包装数量:100

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:190 ns

典型接通延迟时间:35 ns

供应商SI4836DY
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SI4836DYN-Channel 12-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO48.25 Kbytes共4页SI4836DY的PDF下载地址SI7402DN,SI7858DP,SI7940DP,SI4838DY,72231,SI5465EDC,SI9410BDY,SUP75N05-07,SUP75N03-04,SUM110N06-04L
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