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SI4835DY / MOSFET 30V 8A 2.5W
SI4835DY的规格信息
SI4835DY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:12 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:12 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:20 ns

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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4835DY-T1www.nowchip.com0755-27381274
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SI4835DYP-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO79.66 Kbytes共5页SI4835DY的PDF下载地址SI4431DY,FDN5618P,SI4925DY,SI9435DY,SI3455DV,FDC5614P,FDS6609A,SI3457DV,FDMB506P,FDG316P
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SI4835DYVishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, SO655 : $0.2652
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