制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:5.6 A, 3.4 A

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms, 183 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:11.5 nC, 36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.6 W, 4.2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:9 S, 9.3 S

下降时间:12 ns, 25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:73 ns, 80 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns, 42 ns

典型接通延迟时间:32 ns, 55 ns

单位重量:506.600 mg