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SI4455DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4455DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1190pF @ 50V

功率 - 最大值:3.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

供应商SI4455DY-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4455DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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SI4455DY-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 2A 8-SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO186.11 Kbytes共9页SI4455DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4455DY-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:295mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO187.82 Kbytes共9页SI4455DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4455DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 20V Vgs SO-81:¥12.7577
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥6.9382
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2,500:¥5.4805
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SI4455DY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:295mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥4.63
10+:¥3.53
30+:¥3.32
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