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SI4459ADY-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4459ADY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:129 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SI4459ADY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4459ADY-T1-GE3
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深圳市琛凡科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643，13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市水星电子有限公司SI4459ADY-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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集好芯城SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司Si4459ADY-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市兴中芯科技有限公司SI4459ADY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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SI4459ADY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO181.50 Kbytes共9页SI4459ADY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4459ADY-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO183.19 Kbytes共9页SI4459ADY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4459ADY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOICSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO181.50 Kbytes共9页SI4459ADY-T1-GE3的PDF下载地址无
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销售商型号制造商功能描述价格
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Allied Electronics		SI4459ADY-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC+2500:$2.28
+125000:$2.24
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Mouser 贸泽电子		SI4459ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-81:¥12.3735
10:¥10.2943
2,500:¥10.2943
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立创商城		SI4459ADY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：P沟道1+:￥5.18
10+:￥3.88
30+:￥3.64
100+:￥3.298
500+:￥3.201
1000+:￥3.1428
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