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SCT3120ALGC11 /MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
SCT3120ALGC11的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247N-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 22 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:103 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:SCT3x

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.7 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:SCT3120AL

单位重量:6 g

供应商SCT3120ALGC11
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SCT3120ALGC11MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOSROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO649.66 Kbytes共13页SCT3120ALGC11的PDF下载地址
SCT3120ALGC11连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5.6V @ 3.33mA 漏源导通电阻:156mΩ @ 6.7A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):103W 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO897.76 Kbytes共14页SCT3120ALGC11的PDF下载地址
SCT3120ALGC11的全球分销商及价格
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SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 650V 21A TO247N$7.98000
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SCT3120ALGC11ROHM SemiconductorMOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS1:¥55.709
10:¥50.3302
25:¥48.025
100:¥41.6518
250:¥39.7986
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SCT3120ALGC11ROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5.6V @ 3.33mA 漏源导通电阻:156mΩ @ 6.7A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):103W 类型:N沟道1+:¥67.84
10+:¥59.03
30+:¥57.41
100+:¥55.79
500+:¥55.07
1000+:¥54.18