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SCT30N120 /MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
SCT30N120的规格信息
SCT30N120的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:HiP-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V, - 10 V

Qg-栅极电荷:105 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

Pd-功率耗散:270 W

配置:Single

商标名:HiP247â?¢

封装:Tube

系列:SCT30N120

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:38 g

供应商SCT30N120
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深圳市骏凯诚科技有限公司SCT30N120深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SCT30N120深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SCT30N120的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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Digi-Key 得捷电子		SCT30N120D2STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP247$15.83750
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SCT30N120HSTMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2$20.37000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
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500+:￥248.55
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SCT30N120STMicroelectronicsMOSFET 1200V silicon carbide MOSFET1:¥206.0894
5:¥203.9311
10:¥190.0999
25:¥181.5684
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SCT30N120D2STMicroelectronicsMOSFET490:¥131.4755
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SCT30N120HSTMicroelectronicsMOSFET1,000:¥108.8868
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SCT30N120STMicroelectronics1+:￥309.2
2+:￥301.99
5+:￥295.6601
10+:￥290.94
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13+:￥302.43
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54+:￥240.16011+:￥340.251+:￥234.19
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