系列：SCT

最大工作温度：+ 175 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：Through Hole

零件号别名：SCT3040KLC11

下降时间：24 ns

典型接通延迟时间：21 ns

上升时间：39 ns

Vgs-栅极-源极电压：22 V

Pd-功率耗散：262 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：55 A

Vds-漏源极击穿电压：1200 V

RdsOn-漏源导通电阻：40 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

Qg-栅极电荷：107 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：5.6 V

典型关闭延迟时间：49 ns

FET类型：N 沟道

技术：SiCFET（碳化硅）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：1200V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：55A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5.6V @ 10mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：107nC @ 18V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1337pF @ 800V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

功率耗散（最大值）：262W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：52 毫欧 @ 20A，18V

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs