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SCT2H12NZGC11 /MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
SCT2H12NZGC11的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PFM-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1700 V

Id-连续漏极电流:3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:1.15 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

产品:Power MOSFETs

系列:SCT2x

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel SiC Power MOSFET

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:0.4 s

下降时间:74 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SCT2H12NZ

单位重量:11.405 g

供应商SCT2H12NZGC11
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SCT2H12NZGC11MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiCROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO781.39 Kbytes共15页SCT2H12NZGC11的PDF下载地址
SCT2H12NZGC11连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:4V @ 900uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.1A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO791.89 Kbytes共15页SCT2H12NZGC11的PDF下载地址
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SCT2H12NZGC11ROHM SemiconductorMOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC1:¥45.6407
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25:¥39.3466
100:¥34.1938
250:¥32.657
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SCT2H12NZGC11ROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:4V @ 900uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.1A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道1+:¥33.66
10+:¥29.93
30+:¥29.34
100+:¥28.45