包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）39A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）18V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）78 毫欧 @ 13A，18V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）58nC @ 18V

Vgs（最大值）+22V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）852pF @ 500V

FET 功能-

功率耗散（最大值）165W

工作温度175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-4L

封装/外壳TO-247-4