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SCT2750NYTB /MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
SCT2750NYTB的规格信息
SCT2750NYTB的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-268-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1700 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SCT2x

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:600 mS

下降时间:63 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:SCT2750NY

单位重量:4 g

供应商SCT2750NYTB
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SCT2750NYTBMOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon CarbideROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO827.32 Kbytes共15页SCT2750NYTB的PDF下载地址
SCT2750NYTB连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:4V @ 630uA 漏源导通电阻:975mΩ @ 1.7A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):57W(Tc) 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO833.74 Kbytes共14页SCT2750NYTB的PDF下载地址
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SCT2750NYTBROHM SemiconductorMOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
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SCT2750NYTBROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:4V @ 630uA 漏源导通电阻:975mΩ @ 1.7A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):57W(Tc) 类型:N沟道1+:¥22.67
10+:¥19.35
30+:¥18.74
100+:¥18.13
500+:¥17.86
1000+:¥17.52