包装管件

系列汽车级，AEC-Q101

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）118A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）18V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）22.1 毫欧 @ 47A，18V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.6V @ 23.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）172nC @ 18V

Vgs（最大值）+22V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2884pF @ 500V

FET 功能-

功率耗散（最大值）427W

工作温度175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247N

封装/外壳TO-247-3