RU1H80R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):188W 类型:N沟道
RU1H80R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)188W
类型N沟道
RU1H80R
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RU1H80R | N-Channel Advanced Power MOSFET | RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd] | ![RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/899RUICHIPS.GIF) | 516.8 Kbytes | 共12页 |  | 无 |
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 立创商城 | RU1H80R | Ruichips(锐骏半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):188W 类型:N沟道 | 1+:¥3.96 10+:¥2.96 30+:¥2.78 100+:¥2.59 500+:¥2.51 1000+:¥2.47
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