RU1H150S的供应商，RU1H150S规格参数，RU1H150S的PDF资料

RU1H150S /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道

RU1H150S的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）108V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @75A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）288W

类型N沟道

RU1H150S

RU1H150S的供应商,可免费索样

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深圳市芯幂科技有限公司	RU1H150S	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	RU1H150S	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	RU1H150S	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市仓实科技有限公司	RU1H150S	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104	17080955875	李先生	询价
深圳市和谐世家电子有限公司	RU1H150S	深圳市龙岗区平湖街道平安大道华耀城12栋4楼3A09室	84501391 15818661396	叶小姐	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	RU1H150S	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
RU1H150S	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]		378.26 Kbytes	共8页		无

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立创商城	RU1H150S	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道	1+:￥6.66 10+:￥5.02 30+:￥4.71 100+:￥4.41 500+:￥4.27 1000+:￥4.21

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