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RU1H150R /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道

RU1H150R的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）108V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 75A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）288W

类型N沟道

RU1H150R

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RU1H150R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]		437.37 Kbytes	共8页		无

RU1H150R的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	RU1H150R	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道	1+:￥6.07 10+:￥4.53 30+:￥4.24 100+:￥3.96 500+:￥3.83 1000+:￥3.77

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