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RU1C001ZPTL /MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
RU1C001ZPTL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RU1C001ZP

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:120 mS

下降时间:137 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:325 ns

典型接通延迟时间:46 ns

零件号别名:RU1C001ZP

供应商RU1C001ZPTL
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集好芯城RU1C001ZPTL深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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10+:¥1.6899
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