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RU1C001UNTCL /MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
RU1C001UNTCL的规格信息
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制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RU1C001UN

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:180 mS

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:RU1C001UN

供应商RU1C001UNTCL
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集好芯城RU1C001UNTCL深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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RU1C001UNTCL连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO2.14 Mbytes共13页RU1C001UNTCL的PDF下载地址
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10+:¥1.34
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RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET N-CHANNEL1:¥2.6103
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