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RU1C002ZPTCL /MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
RU1C002ZPTCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET

系列:RU1C002ZP

晶体管类型:1 P-Channel MOSFET

类型:Power MOSFET

宽度:1.25 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:RU1C002ZP

单位重量:124.600 mg

供应商RU1C002ZPTCL
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现代芯城(深圳)科技有限公司RU1C002ZPTCLwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RU1C002ZPTCL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城RU1C002ZPTCL深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城RU1C002ZPTCL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司RU1C002ZPTCL深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司RU1C002ZPTCL世纪汇都会轩45070755-82788062
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司RU1C002ZPTCL深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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RU1C002ZPTCLROHM Semiconductor1+:¥1.8201
10+:¥1.6899
25+:¥1.22
100+:¥0.95
250+:¥0.59
500+:¥0.5001
1000+:¥0.34991+:¥1.45
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1000+:¥0.27
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24000+:¥0.19
45000+:¥0.1799
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100+:¥0.37
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10+:¥1.6899
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RU1C002ZPTCLROHM Semiconductor1+:¥1.8201
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Mouser 贸泽电子
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
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RU1C002ZPTCLROHM Semiconductor1+:¥1.8201
10+:¥1.6899
25+:¥1.22
100+:¥0.95
250+:¥0.59
500+:¥0.5001
1000+:¥0.34991+:¥1.45
10+:¥0.97
100+:¥0.4
1000+:¥0.27
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9000+:¥0.21
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45000+:¥0.1799
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100+:¥0.37
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立创商城
RU1C002ZPTCLROHM(罗姆)预售晶体管1+:¥0.556356
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