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RU190N08S /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W(Tc) 类型：N沟道

RU190N08S的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）80V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）190A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4.8mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）312W(Tc)

类型N沟道

RU190N08S

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	RU190N08S	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	RU190N08S	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	RU190N08S	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	RU190N08S	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	RU190N08S	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市宸远科技有限公司	RU190N08S	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	RU190N08S	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
万三科技（深圳）有限公司	RU190N08S	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市微碧半导体有限公司	RU190N08S-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	RU190N08S	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	RU190N08S	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	RU190N08S	华强电子世界三店5C123	0755-82732291,0755-85274662	罗明敏	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
RU190N08S	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]		332.11 Kbytes	共9页		无

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立创商城	RU190N08S	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥6.54 10+:￥4.84 30+:￥4.52 100+:￥4.21 500+:￥4.07 1000+:￥4.01

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