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QPD3601 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
QPD3601的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:22 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Id-连续漏极电流:360 mA

输出功率:180 W

最大漏极/栅极电压:55 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:60.9 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI400-2

封装:Waffle

配置:Single

工作频率:3.4 GHz to 3.6 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

系列:QPD

商标:Qorvo

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.7 V

零件号别名:1130556

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