制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:21.2 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:145 V
Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流:13 A
最大漏极/栅极电压:55 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:237 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI780-2
配置:Single
工作频率:2.7 GHz to 2.9 GHz
商标:Qorvo
开发套件:QPD1881LEVB01
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:25
子类别:Transistors