制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:20 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:-

Vgs-栅源极击穿电压 :-

Id-连续漏极电流:-

输出功率:200 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:-

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI400-2

封装:Tray

应用:Microcell Base Station, W-CDMA / LTE

配置:Single

工作频率:2.5 GHz to 2.7 GHz

系列:QPD

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:-

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

零件号别名:1130963