QPD2731SR
/射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
QPD2731SR的规格信息
制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:16.3 dB
晶体管极性:N-Channel
输出功率:316 W
最大漏极/栅极电压:55 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI780-4
封装:Reel
配置:Dual
工作频率:2.5 GHz to 2.7 GHz
商标:Qorvo
开发套件:QPD2731EVB1.0
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors
QPD2731SR
QPD2731SR及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| QPD2731SR | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty | Qorvo |  | 1.14 Mbytes | 共10页 |  | 无 |
QPD2731SR的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | QPD2731SR | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty | 100:¥925.1536
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