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QPD2194SR /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD2194SR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:19.1 dB

晶体管极性:N-Channel

输出功率:371 W

最大漏极/栅极电压:55 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI400-2

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1.8 GHz to 2.2 GHz

商标:Qorvo

开发套件:QPD2194PCB4B01

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

供应商QPD2194SR
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