QPD2195SR
/射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD2195SR的规格信息
制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:20.4 dB
晶体管极性:N-Channel
输出功率:400 W
最大漏极/栅极电压:55 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI780-2
封装:Reel
配置:Single
工作频率:1.8 GHz to 2.2 GHz
商标:Qorvo
开发套件:QPD2195PCB4B01
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors
QPD2195SR
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| QPD2195SR | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | Qorvo |  | 1.41 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
QPD2195SR的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | QPD2195SR | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | 100:¥1,349.8528
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