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QPD2195SR /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD2195SR的规格信息
QPD2195SR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:20.4 dB

晶体管极性:N-Channel

输出功率:400 W

最大漏极/栅极电压:55 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI780-2

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1.8 GHz to 2.2 GHz

商标:Qorvo

开发套件:QPD2195PCB4B01

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

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