制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:22 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:48 V
Id-连续漏极电流:360 mA
输出功率:364 W
最大漏极/栅极电压:55 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:83.5 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI780-2
封装:Waffle
配置:Dual
工作频率:2.5 GHz to 2.7 GHz
工作温度范围:- 40 C to + 85 C
系列:QPD
商标:Qorvo
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.7 V
零件号别名:1130777