制造商:Qorvo
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:GaN SiC
Id-连续漏极电流:100 mA
Vds-漏源极击穿电压:50 V
增益:18.4 dB
输出功率:31 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-8
封装:Cut Tape
封装:Reel
工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz
类型:RF Small Signal MOSFET
商标:Qorvo
通道数量:1 Channel
湿度敏感性:Yes
Pd-功率耗散:30 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:- 2.8 V