QPD1020SR的供应商，QPD1020SR规格参数，QPD1020SR的PDF资料

QPD1020SR /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

QPD1020SR的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:GaN SiC

Id-连续漏极电流:100 mA

Vds-漏源极击穿电压:50 V

增益:18.4 dB

输出功率:31 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-8

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz

类型:RF Small Signal MOSFET

商标:Qorvo

通道数量:1 Channel

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:30 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 2.8 V

QPD1020SR

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
QPD1020SR	2.7 â 3.5 GHz, 50 V, 30 W GaN RF Input-Matched Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]		1268.09 Kbytes	共22页		无

QPD1020SR的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	QPD1020SR	Qorvo	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB	100:¥480.5551 200:¥451.7401

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