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PD57018S-E /MOSFET 8 BITS MICROCONTR
PD57018S-E的规格信息
PD57018S-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-2

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:760 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 165 C

Pd-功率耗散:31.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:PD57018-E

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:1 S

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

供应商PD57018S-E
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上海山峻电子有限公司PD57018S-E上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市辉华拓展电子有限公司PD57018S-E深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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PD57018S-ERF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO560.6 Kbytes共28页PD57018S-E的PDF下载地址PD57006-E,PD55035-E,PD57030-E,PD54008-E,PD55025-E,PD57002-E,PD55015-E,PD55008-E,PD57070-E,PD57060-E
PD57018S-ERF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO944.64 Kbytes共25页PD57018S-E的PDF下载地址
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PD57018S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品400+:¥177.08400+:¥164.071+:¥170.29
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PD57018S-ESTMicroelectronicsTRANS MOSFET N-CH 65V 2.5A 3PIN PWRSO-10RF (ST LEAD) - Rail/Tube99 : $22.39
199 : $21.81
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PD57018S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品400+:¥177.08
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PD57018S-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10400 : $24.3455
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PD57018S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品400+:¥177.08400+:¥164.07
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PD57018S-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $25.44