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PD55015TR-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E的规格信息
PD55015TR-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:5 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:14 dB

输出功率:15 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55015-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:73 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD55015TR-E
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PD55015TR-ERF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO419.96 Kbytes共27页PD55015TR-E的PDF下载地址MRF6V2010NR1,MRF6S21060NR1,MRF7S19100NR1,MRF7S18170H,MRF373,MRF5P21045NR1,MRF6S19140HR3_07,MRF6S21140HR3_07,MRF6S21140HR3,MRF6V2150NR1
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PD55015TR-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥158.49
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100+:¥125.44
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4800+:¥107.34600+:¥129.72
1200+:¥126.12
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PD55015TR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF100 : $16.5048
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1 : $21.05
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PD55015TR-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥158.49
10+:¥146.98
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100+:¥125.44
250+:¥114.66
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PD55015TR-ESTMicroelectronicsPD55015-E Series 500 MHz 15 W 40 V N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
RoHS : Compliant
600 : $18.0887
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10+:¥146.98
25+:¥134.67
100+:¥125.44
250+:¥114.66600+:¥108.71
1200+:¥108.71
2400+:¥108.66
4800+:¥107.34
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